2016年10月19日，美國國際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）投票決定對(duì)部分絕緣體上硅晶片（certain silicon-on-insulator wafers）啟動(dòng)337調(diào)查（調(diào)查編號(hào)：Inv. No. 337-TA-1025）。
　　2016年5月26日，美國Silicon Genesis Corporation向美國ITC提出337立案調(diào)查申請(qǐng)，并且于2016年10月3日和10月7日補(bǔ)充了其立案申請(qǐng)內(nèi)容，主張對(duì)美出口和在美銷售的部分絕緣體上硅晶片侵犯了其專利權(quán)（美國專利注冊(cè)號(hào)：6458672和6171965），請(qǐng)求美國ITC發(fā)布有限排除令和禁止令。
　　美國最終將以下企業(yè)作為指定應(yīng)訴方：法國Soitec, S.A.。
　　美國貿(mào)易委員會(huì)將于立案后45天內(nèi)確定調(diào)查結(jié)束期。除美國貿(mào)易代表基于政策原因否決的情況外，美國國際貿(mào)易委員會(huì)在337案件中發(fā)布的救濟(jì)令自發(fā)布之日生效并于發(fā)布之日后的第60日起具有終局效力。